SiC MOSFET транзистор 1700 В третьего поколения Gen3 от компании AMG Power

Основные параметры SiC AMG5N1700MT7:

• напряжение сток-исток: 1700 В
• ток (при 25°C): 5 A
• Rds(On): 750 мОм
• напряжение затвор-исток: -5/+15 В
• тип корпуса: TO-263-7
• суммарный заряд затвора: 11 нКл
• максимальная температура перехода: 150 °C
• выходная емкость: 12 пФ
• рассеиваемая мощность: 60 Вт

Применение транзистора AMG5N1700MT7:

• преобразователи собственных нужд электротранспорта
• импульсные источники питания

Преимущества AMG5N1700MT7:

• повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
• позволяет работать на высокой частоте переключения
• улучшает плотность мощности на уровне системы
• уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
• удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)