Проект «Цитадель»: к 2030 году в России планируется создание собственной установки.

Министерство промышленности и торговли подписало соглашение на сумму 1,475 миллиарда рублей с фирмой «Научное и технологическое оборудование» (SemiTEq) из Санкт-Петербурга. Цель договора — создание отечественной системы для молекулярно-лучевой эпитаксии. Инициатива носит название «Цитадель», а готовый прототип ожидается не позднее 31 октября 2030 года.

Данное устройство позволит выращивать монокристаллические полупроводниковые слои и создавать гетероструктуры на базе соединений индия, алюминия, галлия и мышьяка (InAlGaAs). Подобные материалы востребованы при выпуске сложных полупроводниковых изделий, в том числе для высокочастотной и оптоэлектронной аппаратуры.

Оборудование рассчитано на работу с подложками диаметром 76 и 100 мм. Согласно техническому заданию, система должна единовременно обрабатывать минимум пять пластин на 76 мм или три на 100 мм.

Особый акцент сделан на высокой степени локализации. Все ключевые элементы — вакуумные камеры, насосы, молекулярные источники, арматура, главный контроллер и софт — обязаны быть произведены в России. Применение импортных важных узлов возможно лишь с отдельного разрешения Минпромторга.

На сегодняшний день прямого российского аналога подобных установок не существует. «Цитадель» призвана заменить промышленные системы французской Riber 49 и американской Veeco GEN200, используемые для эпитаксии.

Заказчиком работ выступила петербургская «НТО», работающая с 2001 года. Компания фокусируется на оборудовании для электронной отрасли и уже производит установки для молекулярно-лучевой эпитаксии, ранее представив системы для пластин до 150 мм.

Пока проект находится на ранней стадии: контракт предполагает подготовку конструкторской документации и изготовление опытного образца. О массовом производстве речь не идет.