GaN-транзисторы, включая кристальное направление, начнут производить в России

Компания «Элемент» планирует инвестировать 4,4 миллиарда рублей в создание линии по выпуску силовых GaN-транзисторов. Площадкой для нового производства станет воронежский НИИ электронной техники (НИИЭТ). По словам представителя компании, этот проект расширит возможности НИИЭТ по производству СВЧ- и силовых GaN-транзисторов. В результате реализации проекта в России появится первая производственная линия полного цикла для GaN-транзисторов, охватывающая все этапы, включая кристальное производство.

Нитрид Галлия представляет собой современное решение для полупроводникового прибора, позволяющее разрабатывать транзисторы, функционирующие в условиях повышенных температур и частот. Эти транзисторы отличаются высокой удельной мощностью и энергетической эффективностью, что обуславливает их применение в источниках питания, включая серверные решения, а также в высокочастотном оборудовании, например, в усилителях радиосигналов для телекоммуникаций.
Планируется, что производственная мощность составит 5,5 тысяч пластин в год, рассчитанных на 200-миллиметровый эквивалент. Для реализации проекта будет предоставлено льготное финансирование в рамках кластерной инвестиционной платформы, оператором которой выступает Фонд развития промышленности. Выбор Воронежа в качестве места размещения обусловлен тем, что НИИЭТ уже имеет опыт серийного производства продукции на основе нитрида галлия.
В июле 2025 года АО «Корпорация роботов», входящая в группу компаний «Элемент», осуществила приобретение контрольного пакета акций (51%) АО «НПО „Андроидная техника“». По словам представителя компании, это стало первым шагом в развитии направления робототехники внутри холдинга «Элемент».
Оставшаяся доля акций (49%) останется в собственности руководства «Андроидной техники». Информация об именах владельцев не разглашается. Исполнительный директор НПО, Евгений Дудоров, войдет в состав руководства Корпорации роботов, где будет курировать вопросы научно-технологического и производственного развития.