Новая технология, предложенная отечественными учеными, открывает перспективы использования света вместо электрических сигналов для хранения информации.
Инженеры из тайваньского университета NYCU и корпорации TSMC создали атомарно тонкий транзистор с диэлектрическим слоем толщиной всего 0,42 нанометра, сохранив высокую подвижность электронов и сильный контроль над каналом
Группа исследователей из Юго-Восточного университета, Технологического университета Наньян и других институтов совершила значительный прорыв в области беспроводной связи.
Ученые из бразильского Института инноваций SENAI в области электрохимии в Куритибе совершили значительный прорыв в технологии литий-ионных аккумуляторов.