Исследователи из России добились значительного прогресса в области теплоотвода для микроэлектронных устройств, увеличив скорость охлаждения микросхем более чем в 20 раз.

Исследователи из России добились значительного прогресса в области теплоотвода для микроэлектронных устройств, увеличив скорость охлаждения микросхем более чем в 20 раз.

Специалисты из Томского политехнического университета (ТПУ) в сотрудничестве с учеными Российской академии наук (РАН) представили новый метод обработки материалов, который призван существенно улучшить системы охлаждения микросхем, увеличив их эффективность до двадцати раз. Научные выводы данной работы были опубликованы в авторитетном международном издании International Journal of Heat and Mass Transfer.

Главная новизна разработки заключается в формировании поверхностей, обладающих улучшенными теплоотводящими свойствами благодаря регулируемой смачиваемости. Для достижения этого был разработан комплексный подход, сочетающий в себе лазерную обработку для создания микрорельефа, химическую модификацию для придания определенных свойств и термическое разложение углеводородов. В итоге получается материал с измененной текстурой и участками, избирательно притягивающими жидкость (гидрофильными), что способствует более эффективному отводу тепла при невысоких температурах.

Разработанная методика позволяет направленно размещать и фиксировать частицы охлаждающей жидкости в зонах микрочипа, где температура достигает максимальных значений. Это является важным шагом на пути к созданию интеллектуальных систем охлаждения нового поколения.

09:38
16 просмотров (+16 за сегодня)
Нет комментариев. Ваш будет первым!
Используя сайт, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности и с условиями использования файлов cookie