Корейская компания Samsung первой добилась успеха в производстве работоспособных кристаллов памяти DRAM

Согласно информации от профильных инсайдеров, которую распространило корейское издание The Elec, южнокорейский технологический гигант Samsung предпринял значительный прогресс в разработке памяти следующего поколения. Компания успешно добилась создания функционирующих чипов DRAM, произведенных по 10a техпроцессу (диапазон 9,5-9,7 нанометров). Этот шаг считается отправной точкой для создания памяти с размерами меньше 10 нанометров. Эта веха имеет большое значение для индустрии, поскольку наличие рабочего кремниевого образца доказывает, что технология успешно перешла от теоретических изысканий к реальному воплощению.

Новая архитектура DRAM от Samsung базируется на ряде ключевых инноваций. В частности, сделан переход к более плотной компоновке ячеек по схеме 4F Square, которая приходит на смену предыдущей 6F Square. Это изменение само по себе способствует увеличению плотности размещения ячеек в каждом интегрированном модуле на 30-50%.

Для решения потенциальных сложностей, связанных с более плотной архитектурой, специалисты Samsung применили вертикальные каналы транзисторов (VCT), а также задействовали материал IGZO в составе каналов. Данный подход обеспечивает более эффективное сохранение заряда и минимизирует утечки, что критически важно при дальнейшей миниатюризации компонентов.

Еще одно существенное улучшение заключается в разделении логических блоков памяти и управляющих периферийных схем. Предполагается, что часть вспомогательных модулей будет выноситься на отдельный слой, а соединение с основной подложкой будет осуществляться посредством гибридной технологии wafer-to-wafer (PUC).

Ожидается, что Samsung Electronics завершит разработку 10a DRAM до конца 2026 года, проведет этапы тестирования в 2027 году, а к 2028 году планирует запустить серийное производство. Соблюдение намеченных сроков позволит компании укрепить свои лидирующие позиции в сегменте памяти нового поколения и приблизит ее к переходу на вертикальные (3D) архитектуры DRAM.