Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Trench) и представляют собой Trench MOSFET с экранированным затвором.

В них улучшены такие характеристики, как:

• напряжение пробоя «сток-исток» V(BR)DSS;
• сопротивление открытого канала RDS(on);
• общий заряд затвора Qg;
• защита от скачка тока при включении.
  Серии N80V-N85V предлагаются в корпусах TO-220, TO-203, TO-252, PDFN5060 и ряде других (рисунок 1).

Ключевые особенности (таблица 1):

• использование технологии SGT позволяет получить малое значение RDS(on), что сказывается на показателе FOM (Rdson×Qg) и уменьшает потери энергии при переключении транзистора;
• оптимизирован параметр Ciss/Qs (отношение входной емкости к заряду затвора), что дает свободу в выборе ИС-драйвера затвора;
• увеличена устойчивость транзистора к воздействию нештатных режимов работы, в частности к лавинному пробою.
  

Целевые области применения:

• системы управления батареями аккумуляторов (BMS);
• инверторные источники питания;
• управление электромоторами;
• системы быстрой зарядки (PD power supply).

Таблица 1. Основные электрические характеристики N80V-N85V